Gerbang baru Penryn
Keberhasilan Intel mencapai fabrikasi 45nm tidak lepas dari jerih payah peneliti mereka yang berhasil menemukan material baru sebagai bahan gate atau gerbang transistor mereka. Bahan baru ini, yang disebut hi-k metal gate, berhasil mengatasi masalah kebocoran arus ketika transistor dibuat semakin kecil.
Kilas balik, Selama ini Intel, dan pada dasarnya semua produsen semi konduktor menggunakan bahan dari silikon oksida sebagai gate (gerbang) transistor. Gerbang transistor ini berfungsi untuk mengatur arus yang masuk ketransistor. Ketika ukuran transistor diperkecil, gerbang ini pun semakin tipis dengan tujuan meningkatkan kapasitansinya. Namun masalahnya, tipisnya gerbang silikon oksida membuat elektron mudah meloncat melewati gerbang dan mengakibatkan kebocoran arus. Akibat lanjutannya adalah boros energi dan panas yang tinggi karena arus berubah menjadi panas. Seperti kasus Intel processor Pentium 4 Presscot.
Melihat silikon oksida tidak lagi bisa diandalkan, Intel pun mencari material alternatif untuk bahan gerbang transistor tersebut. Akhirnya mereka menemukan hi-k metal gate yang dibuat dari bahan hafnium oksida (HfO2). Material baru ini memiliki kapasitansi yang tinggi (karena itu disebut hi-k) namun tebal secara fisik sehingga meminimalisir kebocoran arus. Intel mengklaim terjadi pengurangan 30% pada switching power, peningkatan 20% pada switching speed, dan reduksi 10X pada kebocoran gate.
Ketika kebocoran arus minim, masalah panas dan bocornya listrik pun bisa diatasi. Jika melihat spesifikasi Yorkfield, terlihat voltase standardnya cuma 1,2V lebih rendah dari QX6850 yang membutuhkan voltase 1,34V. TDP (Thermal Design Power, daya yang dibutuhkan untuk pendinginan procesor) juga lebih rendah yaitu 130 watt.






stmikbg.com adalah web untuk komunitas bagi anak-anak stmik bumigora khususnya dan anak-anak IT umumnya, baek yang cupu maupun yang expert.